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锦天城助力全球氮化镓芯片龙头英诺赛科成功于香港联合交易所主板挂牌上市

 2024-12-301829
[摘要]2024年12月30日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”,股票代码为2577.HK)成功在香港联交所主板挂牌上市。

2024年12月30日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”,股票代码为2577.HK)成功在香港联交所主板挂牌上市。英诺赛科本次上市全球发售4536.40万股,募集资金总额约为14亿港元。公司基石投资者包括STMicroelectronics(“意法半导体”)、江苏国企混改基金、苏州高端装备及东方创联。今日开盘,英诺赛科市值约300亿港元。


英诺赛科成立于2017年,是一家专注于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。根据弗若斯特沙利文的资料显示,英诺赛科2023年营业收入在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一,市场份额为33.7%,按氮化镓分立器件出货量折算,2023年英诺赛科在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一,市占率达到42.4%,截至2024年6月30日,其累计出货量已超过8.5亿颗。


英诺赛科已与OPPO、Vivo、小米等知名手机厂商,安克、绿联等电商,速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商,以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系,其产品InnoGaN也在手机OVP、快充、车载激光雷达、车载PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS电池管理、储能双向变换器、光伏MPPT等产品中大批量量产。英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司,在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破,建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化镓量产平台,实现了中国第三代半导体零的突破。


锦天城作为英诺赛科本次上市项目的联席保荐人中国国际金融香港证券有限公司、招银国际融资有限公司以及其他承销商的中国法律顾问,为本次发行上市提供全程专业法律服务。锦天城高级合伙人王立沈诚律师,律师许菁菁王飞卢晴川以及项目组成员关铭等人组成的律师团队为英诺赛科成功上市提供了全程法律服务。在项目经办期间,锦天城项目团队以一贯严谨高效的工作风格,细致认真的服务态度,专业的职业能力赢得了客户和合作伙伴的信任及肯定。


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