美国时间2023年10月17日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了一系列出口管制规则（以下简称为“2023年10月17日新规”），更新了对先进计算集成电路、半导体制造设备以及支持超级计算应用和最终用途的物项向包括中国在内的武器禁运国家的出口管制措施，并将中国的13家实体列入了实体清单。

曾在去年2022年10月7日，BIS也曾首次发布有关限制中国获得先进计算集成电路、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力的规定，并相应对《美国出口管制条例》（EAR）进行针对性的修订（以下简称“2022年10月7日新规”）。而本次10月17日新规在2022年10月7日新规基础上的进一步修改。

2023年10月17日新规分为如下三个板块：

本系列将会分成如下部分分别详述：

• 针对先进计算集成电路、超级计算机新规：分别见《万字逐条解读：2023年10月17日美针对中国先进计算集成电路、超算、半导体制造设备新规》之上篇与中篇。

• 针对半导体制造设备新规：见本篇《中国半导体设备企业关注：2023年10月17日美国针对中国半导体制造设备新规全面介绍【上篇】》。下篇敬请期待。

  
  

在上篇中已介绍了上述十二段中的第（一）至第（五）段。

本章节将介绍剩余第（六）至第（十二）段。

一、逐条详述《半导体制造设备新规》（即：《半导体制造物项出口管制暂行最终规则》（SME IFR）

(六) 修改减少对供应链的短期影响的措施——针对限制较少的半导体制造设备的“部件”、“组件”或“设备”（修改了第736章节附录1）

(七) 修改许可例外的限制（修改了第740.2条）

去年2022年10月7日新规中，BIS修改了EAR§740.2(a)(9),增加了新的ECCN编码，即：3A090、4A090以及与前述物项相关的软件与技术（3D001,3E001,4D090和4E001），所适用的许可例外的限制。

然而，在今年2023年10月17日新规中，在去年版本基础上，BIS对于EAR§740.2(a)条款，进一步做了如下修订:

(八) 增加并重新排版了“国家安全（National Security）”管制理由（修改了EAR第742.4条）

(九) 修改“地区稳定”管制理由（修改了EAR第742.6条）

在去年2022年10月7日新规中，BIS在EAR中创设了一项单边“地区稳定”管制理由（regional security，RS管制），规定在EAR§ 742.6中。

今年2023年10月17日新规中，BIS在去年版本上，进一步修改了“地区稳定”（RS管制）。

 (十)  修改了对“美国主体”的“活动”的管制（修改了EAR第744.6条）

本次2023年10月17日新规修改了EAR第744.6(c)(2)条，将包含冗余案文的原(c)(2)(i)至(ix)九段合并为(c)(2)(i)至(iii)三段。

此外，关于“知晓”，BIS作出了进一步的说明：

有评论者询问，了解违规行为是否是触发§744.6规定的许可要求的必要条件。

作为对这一评论的回应，BIS通过在（c）（2）段介绍性文本中添加“如果您知道您的出口、再出口或转让（在境内）符合EAR第744.6（c）（2）（i）至（iii）段中描述的任何特定活动，那么”来说明这一点。

1.   “美国主体”被禁止的行为

根据修订后EAR第744.6(c)(2)条（需要同时结合本次2023年10月11日新规项下《先进计算集成电路、超算新规》（AC/S IFR）（见本所新规解读的上篇与中篇）以及《半导体制造物项新规》（SME IFR）（见本篇）），除EAR第744.6条约定的除外情况外，若美国主体知晓其的出口、再出口或美国以外的国家/地区境内转移满足下述第744.6 (c)(2)(i)至(iii)段所述的任何特定行为，则需要获得许可证，用于以下从事活动：

• 运输、传输或国内转移；

• 促进运输、传输或国内转移；或

• 与下表任何一段中描述的任何物项、最终用途或最终用户相关的维修（包括安装）活动

2. 许可证审查标准

一般情况：目的地为中国澳门特别行政区或国家/地区组D:5中指定的目的地的许可证申请为推定拒绝。

例外情况：涉及不受《美国出口管制条例》（EAR）管制的外国制造物项的活动除外，如果该物项与受管制的物项具有相同功能，这些活动将被推定为批准审查。

所有其他申请都将按照逐案审查的许可证审查政策进行审查，同时考虑技术水平、客户和合规计划等因素。

(十一) 修改了“超级计算机”、“先进节点集成电路”和半导体制造设备最终用途管制措施（修改了EAR第744.23条）

在去年2022年10月7日新规中，BIS新增了“超级计算机以及半导体制造最终用途条款”，规定在EAR第744.23条款中。

在本次2023年10月17日新规中，BIS在去年版本上，进一步修订了EAR第744.23条款，题目改为了：“超级计算机、先进节点集成电路以及半导体制造最终用途条款”修订后的EAR第744.23条具体如下（如下整合了本所文章《万字逐条解读：2023年10月17日美针对中国先进计算集成电路、超算、半导体制造设备新规》之上篇与中篇所述的744.23条款的内容）：

 (十二) 在《美国出口管制条例》（EAR）中增加新的定义（修改了EAR第772.21条）

本次10月17日新规修订了《美国出口管制条例》（EAR）第772.1节，增加了“极紫外”（EUV）的定义，并且在ECCN 3B001、3B002 和 3D003中也分别使用了该术语。此外，本次10月17日新规还增加了“先进节点集成电路”（ Advanced-node Integrated Circuit）的定义，以简化第744.6节和第744.23节中以前描述“先进”集成电路标准的几处法规文本。

1.“极紫外”（“EUV”）的定义

“极紫外”是指电磁光谱波长大于 5 nm 且小于 124 nm 。

2.  “先进节点集成电路”（“ Advanced-node Integrated Circuit”）的定义

“先进节点集成电路”的定义，即满足如下条件的集成电路：

(1)  非平面晶体管结构的逻辑集成电路或具有16nm或14nm或以下“生产”“技术节点”的逻辑集成电路；

(2) 128层或以上更多堆叠的NAND闪存集成电路；或

(3) 使用18nm半间距或更小“生产”“技术节点”的DRAM内存集成电路。

注释1：在此定义的第（1）和（3）段中，术语“技术节点”指的是《2016年国际器件和系统路线图》（“More Moore”白皮书）中描述的逻辑产业“节点范围”图表，网址为

https://irds.ieee.org/images/files/pdf/2016_MM.pdf。

技术注释：在此定义的第（3）段中，用于确定DRAM集成电路是否使用18纳米半间距或更小生产技术节点的计算方法是由电气和电子工程师学会（IEEE）开发、采用和使用的计算半间距方法，该方法已发表在《国际器件和系统路线图》（IRDS）中，具体如下：