半导体设备企业关注：2023年10月17日美国针对中国半导体制造设备新规全面介绍【上篇】
作者：邱梦赟 倪好 2023-12-12引言
美国时间2023年10月17日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了一系列出口管制规则（以下简称为“2023年10月17日新规”），更新了对先进计算集成电路、半导体制造设备以及支持超级计算应用和最终用途的物项向包括中国在内的武器禁运国家的出口管制措施，并将中国的13家实体列入了实体清单。
曾在去年2022年10月7日，BIS也曾首次发布有关限制中国获得先进计算集成电路、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力的规定，并相应对《美国出口管制条例》（EAR）进行针对性的修订（以下简称“2022年10月7日新规”）。而本次10月17日新规在2022年10月7日新规基础上的进一步修改。
2023年10月17日新规分为如下三个板块：
本系列将会分成如下部分分别详述：
针对先进计算集成电路、超级计算机新规：分别见《万字逐条解读：2023年10月17日美针对中国先进计算集成电路、超算、半导体制造设备新规》之上篇与中篇。
针对半导体制造设备新规：见本篇《中国半导体设备企业关注：2023年10月17日美国针对中国半导体制造设备新规全面介绍【上篇】》。下篇敬请期待。
正文
一、 《半导体制造设备新规》（即：《半导体制造物项出口管制暂行最终规则》（SME IFR）总体介绍
在本规则中，BIS 通过发布本《半导体制造物项出口管制暂行最终规则》（SME IFR），以更新了对半导体制造设备（semiconductor manufacturing equipment，以下简称“SME”）的管制，修改并完善了去年2022年10月7日新规中有关“半导体制造物项”的规定范围，这些修改包括如下：
1. 在此前3B090项下，增加额外的半导体制造设备（SME）类型，并将这些物项均纳入3B001和3B002的管制范围。
2. 修改3D001、3D002、3D003和3E001，以就物项从3B090移至3B001和3B002的管制，而发生的许可证要求变动作出相应的变更。
3. 修改许可证例外限制，以反映3B090已被移除，并对这些半导体制造设备物项适用许可证例外的情况进行其他更改。
4. 修改国家安全（NS）许可要求和许可证审查政策，对新增的半导体制造设备物项以及从3B090移至3B001和3B002的物项，在中国澳门替特别行政区和国家/地区组D:5中指定的目的地实施国家安全（NS）管制。
5. 修改地区稳定（RS）许可要求和许可证审查政策，其中包括移除对3B090的引用，并将许可证要求扩展到中国澳门特别行政区和国家/地区组D:5中指定的目的地。
6. 修改了最低美国成分（de minimis）条款，为新的ECCN 3B001.f.1.b.2.b中描述的物项添加了0%最低美国成分规则。
7. 修改和重新排版了“美国主体”活动管制以及“超级计算机”和半导体制造最终用途管制。
8. 在《美国出口管制条例》（EAR）中添加了两个新的定义术语：“极紫外”和“先进节点集成电路”。
9. 添加了一个新的临时通用许可证（TGL），为美国和国家/地区组A:5和A:6的国家的半导体制造设备生产商提供额外的时间来寻找武器禁运国家之外的供应替代来源，或者获得经单独验证的许可证。
10. 修订了基于目的地的许可证要求。
二、 逐条详述《半导体制造设备新规》（即：《半导体制造物项出口管制暂行最终规则》（SME IFR）
本第二章节将包括十二段内容，本上篇将介绍第（一）至第（五）段，剩余第（六）至第（十二）段将在下篇介绍。
(一) 修改了ECCN 3B001（制造半导体器件、材料和制造半导体设备的设备以及其“特别设计的”的“组件”和“配件”）
在本次2023年10月17日新规中，修改了3B001如下内容：
(二) 修改了ECCN 3B002（测试或检查成品或未成品半导体器件而“专门设计”的测试或检查设备）
(三) 删除 ECCN 3B090 并作出符合规定的修改
BIS曾在去年2022年10月7日新规中将ECCN 3B090加入到商业管制清单（CCL）。而，本次2023年10月17日新规移除了ECCN 3B090，因为BIS已经确定应该将半导体制造设备的管制和以前已经存在的ECCN中指定的类似设备放在一起，例如3B001，而不单设3B090，为了便于合规、执行，以及因为BIS预计这些物项将成为未来正式多边管制的对象。
由BIS签发的 ECCN 3B090 设备许可证在有效期内一直有效，除非被暂停或撤销。根据EAR第 750.7(c)(1)(viii) 节的规定，2023年10月17日新规生效后，出口商此后必须使用新的 3B001，以便对涉及ECCN 3B090 物项的许可证进行出口清关。这一原则也适用于本次2023年10月17日新规对其他所有ECCN的重新分类，即：出口商必须在2023年10月17日新规生效后提交的任何出口清关文件中使用新ECCN分类。
(四) 修订了ECCN 3D001、3D002、3D003、3E001
(五) 增加了EAR第734.4(a)(3)条款：增加适用于3B001.f.1.b.2.b物项的0%最低美国成分比例规则。
1. 3B001.f.1.b.2.b物项是什么？物项参数是什么？
3B001是制造半导体器件、材料和制造半导体设备的设备以及其“特别设计的”的“组件”和“配件”。
进一步，有关3B001.f.1.b.2.b是什么？根据本次2023年10月17日新规，3B001.f.1.b.2.b物项参数是：使用光电或 X 射线方法，对准并曝光分步重复（直接在晶圆上分步）或分步扫描（扫描仪）设备，以进行晶圆处理，并满足光源波长大于或等于193纳米，并具备以下所有特性：（1）具备生产最小可分辨特征尺寸（MRF）为45纳米或更小图案的能力；和（2）最大“专用卡盘重合度（dedicated chuck overlay）”值大于1.50纳米但小于或等于2.4纳米。
2. 0%最低美国成分比例规则——适用于3B001.f.1.b.2.b物项
本次2023年10月17日新规10月17日新规修订了《美国出口管制条例》（EAR）第734.4节，增加了一个新段落“(a)(3)”，该新增段落的具体内容如下：“符合《美国出口管制条例》（EAR）第774部分附录1的ECCN 3B001.f.1.b.2.b 所列参数的设备，如该设备用于“开发”或“生产”符合《美国出口管制条例》（EAR）第772.1节中该定义第(1)段定义的“先进节点集成电路，则不适用最低美国比例成分标准，除非该外国制造的设备，第一次出口的国家*将该商品列入自己的出口管制清单。例如，*日本政府于2023年7月23日将氩氦湿光刻设备和其他先进半导体制造设备列入所有地区的管制清单。”
因此，符合3B001.f.1.b.2.b物项参数的设备（即：高级光刻机），只要其中包含美国原产物项，无论价值比例如何，其从美国出口、再出口或转让（在美国以外的国家/地区境内）均受到《美国出口管制条例》（EAR）的管制，除非其首次出口国家已经对该设备施加了与美国具有类似效果的出口管制。
3. 例外情况：若其他国家（例如日本）对符合ECCN 3B001.f.1.b.2.b参数的设备维持类似效果的出口管制
此外BIS表示，如果其他国家对符合ECCN 3B001.f.1.b.2.b参数的设备维持类似效果的出口管制，则BIS无需对从国外出口、再出口或转让（在境内）这些外国制造的物项施加额外的管制。BIS正在添加一条脚注（即上文中“*”的内容），其中包含任何维持类似效果出口管制措施的国家的信息。
4. BIS对于3B001.f.1.b.2.b物项的“长臂管辖”
BIS在本次2023年10月17日新规强调保留BIS的管辖权：对于从美国以外其他国家出口的物项，以及随后再出口或在任何其他国家或区域之间转移的物项，这些物项只要不是从类似效果出口管制措施的国家出口的，BIS均保留对这些外国制造设备的管辖权，以保护美国的国家安全和外交政策利益。
剩余第（六）至第（十二）段的逐条详述《半导体制造设备新规》，敬请期待中国半导体设备企业关注：2023年10月17日美国针对中国半导体制造设备新规全面介绍【下篇】
